[ad_1]
نوشته و ویرایش شده توسط مجله ی رنگو
سامسونگ به گفتن یکی از اولین سازندگان HBM پیشرفت‌های خود در عرصه HBM4E را در اجلاس OCP به نمایش گذاشته است. بر پایه اطلاعات انتشار شده به نظر می‌رسد این حافظه ناظر بهبودهای نسلی چشمگیری خواهد می بود و محاسبات هوش مصنوعی را به سطوح جدیدی ارتقا خواهد داد.
به نقل از قسمت صنایع نیمه هادی رسانه اخبار فناوری و تکنولوژی تکنا، این غول کره‌ای در اجلاس جهانی پروژه محاسبات باز (OCP) آینده محصولات HBM خود را با جزئیاتی درمورد HBM4 و HBM4E تشریح کرد. سامسونگ تصمیم دارد با فرآیند HBM4E به شدت ۱۳ گیگابیت بر ثانیه در هر پشته دست یابد که پهنای باندی معادل ۳.۲۵ ترابایت بر ثانیه اراعه می‌دهد. این مقدار پهنای باند تقریباً ۲.۵ برابر سریع تر از نسل جاری HBM3E است.
ماژول HBM4E سامسونگ این چنین با رقم های زیاد خوبی در عرصه منفعت‌وری انرژی اراعه خواهد شد. ادعا می‌بشود منفعت‌وری این ماژول تقریباً دو برابر نمونه HBM3E جاری است. مهم‌تر از آن فرآیند HBM4 این شرکت به شدت پین ۱۱ گیگابیت بر ثانیه دست یافته که به طور قابل توجهی بالاتر از استانداردهای تعیین شده توسط نهادهایی همانند JEDEC است.
این سختی برای افزایش شدت بعد از خواست انویدیا برای تحکیم راه‌حل‌های HBM4 جهت افزایش کارکرد معماری Rubin آن شرکت صورت گرفته است. گزارش‌های رسانه‌های محلی مشخص می کند که سامسونگ بعد از عقب افتادن در رقابت HBM3E از همان مرحله های اولیه گسترش HBM4 پهنای باند بالاتری را مقصد‌گذاری کرده است. به نظر می‌رسد این شرکت در اغاز پیروزی در این رقابت سرعتی است.
استراتژی سامسونگ حرکت سریع به سمت نسل بعدی برای تحول کامل موازنه قوت در بازار است. علاوه بر افزایش کارکرد حرف های می‌بشود این شرکت در حال کار بر روی ساختار قیمت‌گذاری HBM4 برای انویدیا و سایرین است و برچسب قیمتی زیاد جذابی را اراعه خواهد داد.
از آنجایی که قسمت مهمی از HBM4 دارای نیمه‌هادی (۴ نانومتری) داخلی است سامسونگ قسمت ریخته‌گری خود را برای تشکیل HBM در اختیار دارد. این بدان معناست که می‌تواند حاشیه سود ماژول حافظه را کنترل کند. حرف های می‌بشود این غول کره‌ای حاشیه سود مقداری را برای تبدیل شدن به یک تامین‌کننده عمده HBM در نظر گرفته است.
این استراتژی رقابت شدیدی را برای رقبایی همانند SK hynix و Micron تشکیل خواهد کرد. در رابطه زمان اراعه HBM4E به صنعت جدول وقتی اغاز سال ۲۰۲۶ و درست همزمان با تشکیل زیاد HBM4 تعیین شده است.
دسته بندی مقالات
[ad_2]
