سامسونگ پیشرفت‌های نسل جدید حافظه‌های پهنای باند بالا (HBM) را در اجلاس جهانی پروژه محاسبات باز (OCP) به نمایش گذاشت. بر اساس گزارش‌های منتشرشده، این غول تکنولوژی کره‌ای جزئیات فنی HBM4 و HBM4E را تشریح کرده و نشان داد که چگونه این حافظه‌ها می‌توانند محاسبات هوش مصنوعی را به سطحی جدید ارتقا دهند.
پهنای باند شکنی ۳.۲۵ ترابایت بر ثانیه
به نقل از رسانه‌های صنعتی نیمه‌هادی، سامسونگ با فرآیند HBM4E قصد دارد سرعت انتقال داده در هر پشته (Pin) را به ۱۳ گیگابیت بر ثانیه برسانند. این رقم پهنای باندی معادل ۳.۲۵ ترابایت بر ثانیه را فراهم می‌کند که تقریباً ۲.۵ برابر سریع‌تر از نسل فعلی HBM3E است.
🔗 بیشتر بخوانید: اندروید با هوش مصنوعی گسترش یافتهتر زندگی روزمره را منقلب می‌کند_رنگو
بهینه‌سازی مصرف انرژی
ماژول HBM4E سامسونگ تنها در سرعت پیشرفت نکرده، بلکه در کارایی انرژی نیز قفزه‌ای بزرگ ثبت کرده است. ادعا می‌شود بهره‌وری انرژی این حافظه تقریباً دو برابر نمونه‌های کنونی HBM3E خواهد بود. علاوه بر این، فرآیند پایه HBM4 این شرکت با سرعت پین ۱۱ گیگابیت بر ثانیه، به طور قابل توجهی فراتر از استانداردهای تعیین‌شده توسط JEDEC قرار دارد.
پاسخ به تقاضای انویدیا و معماری روبین
این پیشرفت در پی درخواست انویدیا برای تقویت راه‌حل‌های HBM4 جهت افزایش کارایی معماری آینده «روبین» (Rubin) شکل گرفته است. گزارش‌ها حاکی از آن است که سامسونگ پس از عقب‌ماندن در رقابت HBM3E، از مراحل اولیه توسعه HBM4، پهنای باند بالاتری را به عنوان هدف استراتژیک قرار داده تا در این میدان برنده شود.
🔗 بیشتر بخوانید: ۵ راهکار افزایش طول عمر جاروبرقی و نگه داری کارکرد مطلوب_رنگو
استراتژی کنترل هزینه و حاشیه سود
سامسونگ با بهره‌گیری از فرآیند ساخت ۴ نانومتری داخلی برای تراشه‌های منطقیِ HBM4، زنجیره تامین را در اختیار خود نگه داشته است. این به شرکت امکان می‌دهد حاشیه سود ماژول‌های حافظه را مدیریت کند و قیمت‌گذاری جذابی را برای انویدیا و سایر مشتریان ارائه دهد تا جایگاه خود را به عنوان تامین‌کننده اصلی HBM تثبیت نماید.
رقابت با SK Hynix و Micron
این رویکرد رقابتی، چالش جدی برای رقبای اصلی مانند SK Hynix و Micron ایجاد خواهد کرد. برنامه زمان‌بندی سامسونگ برای عرضه انبوه HBM4E با آغاز سال ۲۰۲۶ و هم‌زمان با تولید گسترده HBM4 تعیین شده است.
